标准简介
本规范规定了2DWl4~l8型低噪声低硅电压基准二*管（以下简称器件）的详细要求，该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和ＧｃＴ）.英文名称：Semiconductor discrete device-Detail specification for lower noise for silicon voltage reference diode for Type 2DW14～18
标准状态：现行
中标分类：农业、林业>>农业、林业综合>>B01技术管理
发布部门：中国电子工业总公司
发布日期：1992-11-19
实施日期：1993-05-01
出版日期：1993-04-01
页数：12页
前言
GB 6571-1986 小功率信号二*管、稳压及基准电压二*管测试方法GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸GJB 33-1985 半导体分立器件总规范GJB 33/006-1989 半导体分立器件 电压调整和电压基准二*管空白详细规范GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
