标准简介
本规范规定了3DG111型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).英文名称:Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon NPN high-frequency low power transistor of Type 3DG111
标准状态:现行
中标分类:综合>>标准化管理与一般规定>>A01技术管理
发布部门:中国电子工业总公司
发布日期:1992-11-19
实施日期:1993-05-01
出版日期:1993-04-01
页数:10页
前言
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