标准简介
本标准规定了N/N、P/P结构硅外延片的净杂质浓度，通过净杂质浓度与电阻率的关系曲线，可求得电阻率。英文名称：Method of measurement for resistivity of silicon epitaxial layer (capacitance-voltage method) (Provisional)
标准状态：现行
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H81半金属
发布部门：第四机械工业部
发布日期：1980-03-01
实施日期：1980-06-01
作废日期：2010-02-01
出版日期：1980-06-01
页数：4页
前言
半金属相关标准
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