标准简介
本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。本标准适用于测量硅、砷化稼等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级。英文名称：Test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques
标准状态：现行
中标分类：能源、核技术>>能源、核技术综合>>F01技术管理
发布部门：电子工业部
发布日期：1994-04-11
实施日期：1994-10-01
出版日期：2004-04-18
页数：6页
前言
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