标准简介
本方法规定了用椭圆偏振测试方法测量生长或沉积在硅衬底上的绝缘体薄膜厚度及折射率的方法。本方法适用于薄膜对测试波长没有吸收和衬底对测试波长处不透光、且已知测试波长处衬底折射率和消光系数的绝缘体薄膜厚度及折射率的测量。对于非绝缘体薄膜，满足一定条件时,方可采用本方法。英文名称：Test method for measurement of insulator thickness and refractive index on silicon substrates by ellipsometry
标准状态：现行
中标分类：冶金>>有色金属及其合金产品>>H68贵金属及其合金
ICS分类：冶金>>有色金属>>77.120.99其他有色金属及其合金
发布部门：工业和信息化部
发布日期：2012-11-07
实施日期：2013-03-01
出版日期：2013-03-01
页数：12页
前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)归口。本标准起草单位:中国计量科学研究院、有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司。本标准主要起草人:高英、武斌、孙燕、徐继平、徐自亮、黄黎。
