GB/T 5252-2020 锗单晶位错密度的测试方法 现行

标准号：GB/T 5252-2020
中文标准名称：锗单晶位错密度的测试方法
英文标准名称：Test method for dislocation density of monocrystal germanium
标准状态：现行,发布于2020-06-02; 实施于2021-04-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2020-06-02
实施日期：2021-04-01
中国标准分类号：77.040
国际标准分类号：77.040
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草单位：有研光电新材料有限责任公司;国合通用测试评价认证股份公司;中国电子科技集团公司第四十六研究所;中锗科技有限公司;北京国晶辉红外光学科技有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;广东先导稀材股份有限公司;义乌力迈新材料有限公司
全部替代标准：GB/T 5252-2006
相近标准：20173474-T-610 锗单晶位错密度的测试方法; 锗单晶位错密度的测试方法; GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法; 20173473-T-610 砷化镓单晶位错密度的测试方法; 砷化镓单晶位错密度的测试方法; GB/T 5252-1985 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法; 20021940-T-610 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法; GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法; GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法; 20141872-T-469 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法