GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 现行

标准号：GB/T 6616-2009
中文标准名称：半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
英文标准名称：Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge
标准状态：现行,发布于2009-10-30; 实施于2010-06-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
中国标准分类号：29.045
国际标准分类号：29.045
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草单位：万向硅峰电子股份有限公司
全部替代标准：GB/T 6616-1995
采标情况：本标准修改采用其他国际标准：SEMI MF673-1105。
采标中文名称:用非接触涡流法测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。
相近标准：20065621-T-469 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法; GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法; 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法; SJ/T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法; GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法; GB/T 6620-1995 硅片翘曲度非接触式测试方法; 20065631-T-469 硅片翘曲度非接触式测试方法; 20202829-T-469 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法; 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法; GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法