GB/T 15652-1995 金属氧化物半导体气敏元件总规范 现行

标准号：GB/T 15652-1995
中文标准名称：金属氧化物半导体气敏元件总规范
英文标准名称：Generic specification for gas sensors of metal-oxide semiconductor
标准状态：现行,发布于1995-07-24; 实施于1996-04-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：1995-07-24
实施日期：1996-04-01
中国标准分类号：31.020
国际标准分类号：31.020
归口单位：工业和信息化部（电子）
执行单位：工业和信息化部（电子）
主管部门：工业和信息化部（电子）
起草单位：电子工业部标准化研究所
采标情况：本标准非等效采用IEC国际标准：IEC 738-1:1994。
采标中文名称:。
相近标准：GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法; 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的自由离子试验; 20210839-T-339 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的温度偏置稳态试验; 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的温度偏置稳态试验; SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范; SJ/T 10416-1993 半导体分立器件芯片总规范; SJ/T 10435-1993 半导体电阻应变计总规范; GB/T 31358-2015 半导体激光器总规范; 20112014-T-604 半导体激光器总规范; JB/T 11623-2013 平面厚膜半导体气敏元件