标准号：GB/T 14141-2009
中文标准名称：硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法
英文标准名称：Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
标准类型：H80
发布日期：2009/10/30 12:00:00
实施日期：2010/6/1 12:00:00
中国标准分类号：H80
国际标准分类号：29.045
引用标准：GB/T 1552-1995;GB/T 11073-2007
适用范围：本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω～5000Ω。该方法也可以适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法
百检网 2021-07-13
百检能给您带来哪些改变？
1、检测行业全覆盖，满足不同的检测；
2、实验室全覆盖，就近分配本地化检测；
3、工程师一对一服务，让检测更精准；
4、免费初检，初检不收取检测费用；
5、自助下单 快递免费上门取样；
6、周期短，费用低，服务周到；
7、拥有CMA、CNAS、CAL等权威资质；
8、检测报告权威有效、中国通用；
客户案例展示
相关商品
版权与免责声明
①本网注名来源于“互联网”的所有作品，版权归原作者或者来源机构所有,如果有涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起一个月内与本网联系，联系邮箱service@baijiantest.com，否则视为默认百检网有权进行转载。
②本网注名来源于“百检网”的所有作品，版权归百检网所有，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。想要转载本网作品，请联系:service@baijiantest.com。已获本网授权的作品，应在授权范围内使用，并注明"来源：百检网"。违者本网将追究相关法律责任。
③本网所载作品仅代表作者独立观点，不代表百检立场，用户需作出独立判断，如有异议或投诉，请联系service@baijiantest.com
最新资讯
客服热线
400-101-7153
专属服务：156 0190 2607
企业邮箱： service@baijiantest.com