标准号：GB/T 11297.7-1989
中文标准名称：锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
英文标准名称：Test method for resistivity and Hall coefficient in InSb single crystals
标准类型：L32
发布日期：1989/3/31 12:00:00
实施日期：1990/1/1 12:00:00
中国标准分类号：L32
国际标准分类号：29.040.30
适用范围： 本方法适用于长方体和薄片锑化铟单晶样品的电阻率和霍耳系数的测量。 本方法所采用的样品是从锑化铟单晶中切割制备的，在特定位置上施加电*接触，用直流方法测量样品的电阻率和霍耳系数，而后计算该样品的载流子浓度和载流子迁移率。 本方法适用于电阻率10
GB/T 11297.7-1989 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
百检网 2021-07-30
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