超高真空分子束外延生长系统

百检网 2021-11-11

主要规格及技术指标

超高真空外延室腔体、进样室腔体（真空漏率小于1E-11mbar.l.s-1）；三维驱动升、降温样品台（低温小于20K，液氦导入；高温：>600°）；高温蒸发源（本底真空1E-11mbar,1500℃，3个）；膜厚仪（水冷构造、直线驱动）；样品传动磁力杆，分子泵组等

主要功能及特色

超高真空（<5e-7Pa）薄膜沉积系统，衬底温度可控（20K-1200K）,可传输物理掩模板，可实现超高真空原位器件生长。

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