无掩模曝光机

主要技术指标：

⑴曝光图形要求： 　　1.无需光刻掩模，通过电脑输入图形，获得所需曝光图形光。 　　2.适合特征尺寸为1微米以下至0.5微纳的图形光刻, 　　3.曝光速度调节灵活，在选择大图形特征尺寸曝光时，可调节光路进行快速曝光。 　　4.适合厚胶光刻工艺，焦深要求7~25um, ⑵曝光光学系统要求： 　　5.标准带通配置 　　 •>510nm用于对准和基板检查 　　 • 435nm+/- 5nm 　　 • 365nm +/- 5nm 　　 •宽谱曝光模式 　　6.拼接灰度255级 　　7.CCD相机Camera ⑶集成软件功能： 　　8.自动聚焦功能 　　9.场校准光学系统/平台 　　10.自动对准套刻功能 　　11.用户自定义软件修改 ⑷平台： 　　12.高精度线性驱动平台 　　13.X和Y方向运动要求 　　 • 总行程100 mm 　　 • 运动精度+/- 200 nm per axis 　　 • 重复性 +/- 50 nm per axis 　　14.Z方向运动要求 　　 •总的运动行程25 mm 　　 • 运动精度+/- 200 nm 　　 • 重复性+/- 75 nm 　　15.Theta方向运动平台 　　 • 总行程360 degrees 　　 • 精度+/-5 arc sec 　　 • 重复性+/-2 arc se ⑸设备环境要求： 　　16.适合1000级及更洁净恒温恒湿黄光室使用 17.+/- 20C 室温控制范围，30-50%相对湿度范围

主要功能：

用于硅片、光学玻璃等表面光刻胶图形曝光，制作微纳米级图形。

服务内容：

用于硅片、光学玻璃等表面光刻胶图形曝光，制作微纳米级图形

收费标准：

5000

用户须知：

在不影响科研的情况下对外开放