主要技术指标
单室磁控溅射系统 真空室尺寸：圆筒型真空室 ，Ф450 x350mm 真空系统配置：复合分子泵、机械泵、闸板阀 *限压力：≤6.67x10-5Pa (经烘烤除气后) 恢复真空时间：40分钟可达到6.6x10-4Pa (系统短时间暴露大气并充干燥氮气开始抽气) 磁控靶组件：永磁靶3套 靶配有屏蔽罩 电动控制挡板 靶材尺寸Φ60mm ( 其中一个可以溅射磁性材料,一个可以实现射频溅射) 各靶射频溅射与直流溅射兼容,靶内有水冷 三个靶可共同折向上面的样品中心，靶与样品距离90-110mm可调 当直接向上溅射时，靶与样品距离40-80mm可调 单机片水冷加热台： 基片结构 基片加热与水冷独立工作，取下加热炉可以换上水冷基片台 样品尺寸：Φ30mm 运动方式： 基片可连续回转，转速5~10
主要功能/应用范围
磁控溅射是物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，而上世纪发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴*表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。
服务内容
无
服务的典型成果
无
对外开放共享规定
无
参考收费标准
无
