扫描发射电子显微镜

服务领域： 技术指标： 分辨率二次电子(SE)成像：高真空模式：30kV时 1.2 nm；1kV时 3.0nm 低真空模式：30kV时 1.5 nm；3kV时 3.0nm ESEM？环境真空模式: 30kV时 1.5 nm 背散射电子(BSE)成像：30kV时 2.5 nm 放大倍数高真空模式: 12x - 1,000,000x 低真空模式: 12x - 1,000,000x 生产厂商： FEI 仪器国别： 启用时间： 2007-09-28 仪器认证： / 安放地点： / 主要用途： 对于金属材料进行织构分析、相鉴定、晶粒尺寸的测量、断裂机制、失效机理研究和应变评估 主要附件及功能： 以很高的分辨率对物质微观形貌进行显微成像分析；测定物质结构；在物质微观形貌及结构进行分析的同时，对物质成分进行微区分析，微区尺寸可为纳米尺度。EBSD技术获得纳米材料以及超细材料的晶体结构和晶体取向，从而确定晶体生长模型；对于金属材料进行织构分析、相鉴定、晶粒尺寸的测量、断裂机制、失效机理研究和应变评估等。