MOS管检测机构

MOS管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双*型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双*型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管，叫做场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

检测周期 ：7-10个工作日出具MOS管检测报告。

MOS管检测范围：

结型场效应管(N沟道)、结型场效应管(P沟道)、绝缘栅场效应管(N沟道)、绝缘栅场效应管(P沟道)等;

MOS管检测项目：

阻抗性、噪声检测、动态范围、功耗检测、等;