1 范围
GB/T4937的本部分规定了半导体器件的盐雾试验方法,以确定半导体器件耐腐蚀的能力。本试验是模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验。适用于工作在海上和沿海地区的器件。
本试验是破坏性试验。
本试验总体上符合IEC60068-2-11,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其*新版本(包括所有的修改单)适用于本文件
IEC60749-14半导体器件机械和气候试验方法第14部分:引出端强度(引线牢固性)[Semi conductor devicesMechanical and climatic test methods-Part 14: Robustness of terminations(lead integrity)]
IEC60068-2-11环境试验第2部分:试验方法试验Ka:盐雾( Environmental testing-Part2: Tests-Test Ka: Salt mist)
3 试验设备
盐雾试验所用设备应包括:
a)带有耐腐蚀的支撑器件夹具的温控试验箱;
b)盐溶液槽:所用的盐应为无水氯化钠,其碘化钠的质量分数不超过0.1%,且总杂质的含量不超过0.3%,蒸馏水(或使用的其他水)的杂质含量不超过200×10-6,应通过过滤以控制溶液的杂质含量,为了达到第4章所要求的沉降率,去离子水或蒸馏水盐溶液的盐浓度应为05%~3%(质量百分比);
c)使盐液雾化的装置,包括合适的喷嘴和压缩空气源;
d)高于箱内温度的某温度下,保持空气潮湿的装置;
e)1倍~3倍、10倍~20倍的放大镜。
4 程序
按4.1的要求预处理之后,试验样品应按如下方式放置在试验箱里,使它们彼此不接触,彼此不遮挡,能自由地接受盐雾作用腐蚀生成物和凝聚物不会从一个样品滴落在另一个样品上。试验箱中喷雾的保持时间应按4.2试验条件的要求执行。试验期间,试验箱内的温度应保持在(35±2)℃,盐雾的浓度和喷出速度应调节到使试验区域内盐沉降率为(30±10)g/(m2·d)。在不低于35℃测量时,盐溶液的pH值应在60~7.5之间[只能用化学纯(CP级)的盐酸或氢氧化钠(稀溶液)来调整pH值]。
4.1 预处理
若规定了预处理,试验样品在进行盐雾试验之前,器件引线应按IEC60749-14规定的试验条件B的要求,承受弯曲应力的预处理。如果进行盐雾试验的样品已经作为其他试验的一部分进行过所要求的预处理,其引线无需重新弯曲
4.2 试验时间
应从表1中选取盐雾试验的时间。除另有规定外,应采用试验条件A
4.3 清洗
除另有规定外试验结束后,样品表面的沉淀物应按如下方式进行处理可用清水轻轻冲洗去掉试验样品表面沉淀的盐;也可以将样品浸泡在水里,用软毛刷或软塑料刷轻轻地刷洗。水温不应超过40℃。
4.4 失效判据
器件出现以下情况判为失效:
a)在室内正常照明下,放大1倍~3倍检查,标识模糊
b)腐蚀缺陷面积超过任何封装零件(例如盖板、引线或外壳)镀涂或底金属面积的5%;引线缺损、断裂;放大10倍~20倍检查,完全贯穿零件的腐蚀。在此试验方法中,腐蚀定义为对材料
或涂层结构的实际损坏。褪色或变色,包括与点腐蚀有关的褪色或变色,不应认为是受损区域的一部分。引线末端的腐蚀(和由此产生的腐蚀生成物)应忽略。
注:涂层需覆盖封装和从引线根部到**的整个暴露的引线区域(不包括特定的弯折区域)和所有其他暴露的金属表面。
5 说明
相关文件应规定以下内容:
a)预处理,适用时(见4.1);
b)试验条件,如果和试验条件A不同(见4,2);
c)清洗程序,如果和43的规定不同;
d)失效判据,如果和44的规定不同;
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