标准简介
本标准规定了具有单一热流路径的半导体器件结-壳热阻Rth(J-C)的瞬态测试方法。 本标准适用于具有单一热流路径的半导体器件。英文名称：Junction-to-case thermal resistance transient test method of semiconductor devices
标准状态：现行
替代情况：公告：贵州省市场监管局关于废止152项贵州省地方标准的公告
中标分类：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合
ICS分类：电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合
发布部门：贵州省质量技术监督局
发布日期：2016-04-01
实施日期：2016-10-01
作废日期：2019-12-04
出版日期：2016-10-01
页数：9页
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。请注意：本标准的某些内容可能涉及专利内容，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准使用重新起草法修改采用JESD 51-14 2010《测量具有单一热流路径的半导体器件结壳热阻的瞬态双界面测试法》。本标准与JESD 51-14 2010相比，在结构上增加了一章（4），删除了一章（7）。本标准与JESD 51-14 2010的技术性差异及其原因如下：——将JESD 51-14 2010第4.2.1瞬态双界面测量原理进行精简后，写入本标准5.4瞬态双界面测量中，以增加可操作性；——删除了JESD 51-14 2010 第4.2.2温度控制散热器部分，以适应我国的技术条件；——将JESD 51-14 2010第4.2部分定义的无/有导热硅脂与热油两种测试状态，重新定义为低/高导热两种测试状态，以适应我国的技术条件；——根据JESD 51-14 2010测试原理，本标准增加了测试原理图、测试时序图，以增加可操作性；——本标准对两条瞬态热阻抗曲线的分离点确认和结-壳热阻的计算只规定原理，不限制实现方法，以适应我国的技术条件。本标准做了下列编辑性修改：——将标准名称修改为《半导体器件结-壳热阻瞬态测试方法》；——将JESD 51-14 2010 第5章调整为本标准资料性附录A；——关于规范性引用文件，调整如下：删除了JESD 51-14 2010第2章[N1][N2][N3][N4][N5][N6][N7]；增加引用了GB/T 11499；增加引用了GB/T 14862；——删除了JESD 51-14 2010附录A、B、C、D。本标准由贵州省机械电子产品质量监督检验院提出。本标准由贵州省质量技术监督局归口。本标准起草单位：贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司。本标准主要起草人：李明贵、禹忠、付悦、岳萍、刘德军、钟健思、曹珩、章俊华、林小文、邵建平、马静。
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