标准简介
本标准规定了半导体单晶晶向X 射线衍射定向和光图定向的方法。 本标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向。英文名称：Testing methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 1555-1997
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
出版日期：2010-06-01
页数：12页
前言
本标准代替GB/T1555-1997《半导体单晶晶向测定方法》。本标准与GB/T1555-1997相比,主要有如下变化:---增加了术语章;---增加了干扰因素章;---将原标准定向推荐腐蚀工艺中硅的腐蚀时间5min改为硅的腐蚀时间3min~5min。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。本标准主要起草人:杨旭、何兰英。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:---GB1555-1979、GB1556-1979、GB5254-1985、GB5255-1985、GB8759-1988;---GB/T1555-1997。
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