标准简介
本标准规定了微电子技术用贵金属浆料中方阻的测定方法。本部分适用于微电子技术用贵金属浆料方阻的测定。 本标准是对ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》（所有部分）的整合修订，分为７个部分.本部分为ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第３部分。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定》。 本部分与ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８相比，主要有如下变动： ———将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定； ———增加低温固化型浆料方阻的测定方法； ———原标准的原理中，“将浆料用丝网印刷在陶瓷基片，经过烧结后，膜层在一定温度及其厚度、宽度不变的情况下……”修改为：“将浆料用丝网印刷在陶瓷基片或有机树脂基片上，经过烧结或固化后，膜层在一定温度及厚度、宽度不变的情况下”； ———测厚仪修改为：光切显微测厚仪用于烧结型浆料：范围为０ｍｍ～５ ｍｍ，精度为０．００１ ｍｍ。千分尺用于固化型浆料：范围为０ｍｍ～５ｍｍ，精度为０．００１ｍｍ。英文名称：Test methods of precious metals pastes used for microelectronics Determination of sheet resistance
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 17473.3-1998
中标分类：冶金>>有色金属及其合金产品>>H68贵金属及其合金
ICS分类：冶金>>有色金属>>77.120.99其他有色金属及其合金
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2008-03-31
实施日期：2008-09-01
出版日期：2008-06-01
页数：6页
前言
本标准是对GB/T17473-1998《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》(所有部分)的整合修订,分为7个部分:---GB/T17473.1-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 固体含量测定;---GB/T17473.2-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 细度测定;---GB/T17473.3-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定;---GB/T17473.4-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 附着力测试;---GB/T17473.5-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 粘度测定;---GB/T17473.6-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 分辨率测定;---GB/T17473.7-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 可焊性、耐焊性测定。本部分为GB/T17473-2008的第3部分。本部分代替GB/T17473.3-1998《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定》。本部分与GB/T17473.3-1998相比,主要有如下变动:---将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定;---增加低温固化型浆料方阻的测定方法;---原标准的原理中,将浆料用丝网印刷在陶瓷基片,经过烧结后,膜层在一定温度及其厚度、宽度不变的情况下……修改为:将浆料用丝网印刷在陶瓷基片或有机树脂基片上,经过烧结或固化后,膜层在一定温度及厚度、宽度不变的情况下;---测厚仪修改为:光切显微测厚仪用于烧结型浆料:范围为0mm~5 mm,精度为0.001 mm。千分尺用于固化型浆料:范围为0mm~5mm,精度为0.001mm。本部分的附录A 为规范性附录。本部分由中国有色金属工业协会提出。本部分由全国有色金属标准化技术委员会归口。本部分由贵研铂业股份有限公司负责起草。本部分主要起草人:金勿毁、刘继松、李文琳、陈伏生、朱武勋、李晋。本部分所代替标准的历次版本发布情况为:---GB/T17473.3-1998。
