标准简介
本部分的目的是确定半导体熔断体的特性,从而在相同尺寸的前提下,可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此,本部分中特别规定了: a) 熔断体的下列特性: 1) 额定值; 2) 正常工作时的温升; 3) 耗散功率; 4) 时间?电流特性; 5) 分断能力; 6) 截断电流特性和犐2狋特性; 7) 电弧电压*限值。 b) 验证熔断体特性的型式试验; c) 熔断体标志; d) 应提供的技术数据(见附录B)。英文名称：Low-voltage fuses - Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices
标准状态：作废
替代情况：替代GB/T 13539.4-2005;GB/T 13539.7-2005;被GB/T 13539.4-2016代替
中标分类：电工>>低压电器>>K31低压配电电器
ICS分类：电气工程>>电工器件>>29.120.50熔断器和其他过载保护
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2009-04-21
实施日期：2009-11-01
作废日期：2016-11-01
出版日期：2009-11-01
页数：36页
前言
GB13539《低压熔断器》预计分为五个部分:---第1部分:基本要求;---第2部分:专职人员使用的熔断器的补充要求(主要用于工业的熔断器)标准化熔断器系统示例A 至I;---第3部分:非熟练人员使用的熔断器的补充要求(主要用于家用和类似用途的熔断器)标准化熔断器系统示例A 至F;---第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求;---第5部分:低压熔断器应用指南。本部分为GB13539的第4部分,本部分等同采用IEC60269?4:2006《低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求》(英文版)。为便于使用,本部分作了下列编辑性修改:---删除国际标准的前言和引言;---删除原表、图及部分条款下的编辑性注释;---原7.4中倒数第二行熔体不应熔化疑有误,改为熔断体不应熔断;---原图102约定试验装置举例中右图上标③疑有误,改为②。本部分与GB13539.1-2008一起使用。本部分的条款号与GB13539.1相对应。本部分代替GB/T13539.4-2005《低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求》和GB/T13539.7-2005《低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 第1至3篇:标准化熔断体示例》。本部分主要由原GB/T13539.4及GB/T13539.7全部内容合并而成。本部分与GB/T13539.4-2005和GB/T13539.7-2005相比主要变化如下:---原GB/T13539.4-2005中附录A 规范性附录改为资料性附录,原附录B 资料性附录改为规范性附录;原GB/T13539.7-2005内容改为本部分附录C 内容;---图C.2表中原F*大值改为F名义值;---图C.7表中*后一栏H *大值倒数第6行,原为0.4,现改为33.4。本部分的附录B、附录C 为规范性附录,附录A 为资料性附录。本部分由中国电器工业协会提出。本部分由全国熔断器标准化技术委员会(SAC/TC340)归口。本部分负责起草单位:上海电器科学研究所(集团)有限公司。本部分参加起草单位:上海电器陶瓷厂有限公司、西安西整熔断器厂、浙江西熔电气有限公司、人民电器集团有限公司、乐清市沪熔特种熔断器有限公司。本部分主要起草人:季慧玉、吴庆云。本部分参加起草人:林海鸥、刘双库、李全安、郎建才、黄章武、郑爱国。本部分所代替标准的历次版本发布情况为:---GB13539.4-1992、GB/T13539.4-2005;---GB/T13539.7-2005。
