标准简介
本标准规定了使用干涉相衬显微镜非破坏性测量硅外延层堆垛层错密度的方法。本标准适用于硅外延层厚度不小于3μm、外延层晶向偏离｛111｝晶面或｛100｝晶面角度较小的试样的堆垛层错密度测量。当堆垛层错密度超过15000cm-2或当外延层晶向与｛111｝晶面或｛100｝晶面偏离角度较大时，测量精度将有所降低。英文名称：Test method for stacking fault density of epitaxial layers of silicon by interference contrast microscopy
标准状态：作废
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H24金相检验方法
ICS分类：29.040.30
发布部门：国家技术监督局
发布日期：1993-02-06
实施日期：1993-10-01
作废日期：2005-10-14
页数：平装16开， 页数：5， 字数：6千字
前言
金相检验方法相关标准
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