标准简介
本标准规定了半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于106Ω·cm 的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的测定。测量范围:室 温 下 从 1.0×1015 atoms/cm3 到 代 位 碳 原 子 的 * 大 溶 解 度,77 K 时 检 测 下 限 为4.0×1014atoms/cm3。英文名称：Test methods for carbon acceptor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 19199-2003
中标分类：冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法
ICS分类：冶金>>77.040金属材料试验
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2015-12-10
实施日期：2016-07-01
出版日期：2016-07-01
页数：8页
前言
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准代替 GB/T19199—2003《半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法》。本标准与 GB/T19199—2003相比,主要有以下变化:———增加了“规范性引用文件”“术语和定义”“干扰因素”和“测试环境”4章;———扩展了半绝缘砷化镓单晶电阻率范围,将电阻率大于107Ω·cm 修改为大于106Ω·cm;———将范围由“非掺杂半绝缘砷化镓单晶”修改为“非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶”;———去除了0.4mm~2mm 厚度测试样品的解理制样方法;———室温差示法测量时,将“仪器分辨率为0.5cm-1或1cm-1”,修改为“仪器分辨率1cm-1”。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会。本标准起草人:何秀坤、李静、张雪囡。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:———GB/T19199—2003。
