标准简介
本标准规定了4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片的微管密度的无损检测方法。 本标准适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量。英文名称：Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers
标准状态：现行
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H26金属无损检验方法
ICS分类：冶金>>金属材料试验>>77.040.99金属材料的其他试验方法
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2014-12-31
实施日期：2015-09-01
出版日期：2015-09-01
页数：8页
前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本标准起草单位:北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。本标准主要起草人:陈小龙、郑红军、张玮、郭钰、刘振洲。
