标准简介
本标准规定了碳化硅单晶抛光片的平整度,即总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)、弯曲度(Bow)、翘曲度(Warp)的测试方法。 本标准适用于直径为50.8mm、76.2mm、100mm,厚度0.13mm~1mm 碳化硅单晶抛光片平整度的测试。英文名称：Test method for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers
标准状态：现行
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
ICS分类：冶金>>77.040金属材料试验
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2015-12-10
实施日期：2017-01-01
出版日期：2017-01-01
页数：8页
前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本标准起草单位:北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。本标准主要起草人:陈小龙、郑红军、张玮、郭钰。
