标准简介
本标准详细规定了用扇形磁场或四*杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法，以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本标准适用于砷原子浓度范围从1×10����16�� atoms/cm��3～2.5×10����21�� atoms/cm��3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品，坑深在50 nm及以上。英文名称：Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon
标准状态：现行
中标分类：化工>>化工综合>>G04基础标准与通用方法
ICS分类：化工技术>>分析化学>>71.040.40化学分析
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2016-02-24
实施日期：2017-01-01
出版日期：2017-01-01
页数：20页
前言
基础标准与通用方法相关标准
