标准简介
本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。 本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析,测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013 cm-3、氮含量不小于5×1015 cm-3,元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。英文名称:Determination of boron,aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry
标准状态:现行
中标分类:冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法
ICS分类:冶金>>77.040金属材料试验
发布部门:国家市场监督管理总局.
发布日期:2021-12-31
实施日期:2022-07-01
出版日期:2021-12-01
页数:8页
前言
半金属及半导体材料分析方法相关标准