标准简介
详见本标准。英文名称：Semiconductor devices- Discrete devices- Part 8:Field-effect transistors -Section One-Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
标准状态：现行
替代情况：GB/T 6219-1986
中标分类：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三*管
ICS分类：电子学>>半导体器件>>31.080.30三*管
发布部门：国家质量技术监督局
发布日期：1998-01-01
实施日期：1999-06-01
出版日期：2004-08-26
页数：平装16开， 页数：18， 字数：31千字
前言
半导体三*管相关标准
