标准简介
本标准规定了硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻的非接触涡流测量方法。本标准适用于测量直径或边长大于30mm、厚度为0.1～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。英文名称：Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage
标准状态：作废
替代情况：替代GB 6616-1986;被GB/T 6616-2009代替
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
ICS分类：29.040.30
发布部门：国家技术监督局
发布日期：1995-04-18
实施日期：1995-01-02
作废日期：2010-06-01
页数：平装16开， 页数：7， 字数：9千字
前言
金属物理性能试验方法相关标准
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