标准简介
本标准给出了绝缘栅双*晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。英文名称：Semiconductor devices—Discrete devices—Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBT)
标准状态：现行
中标分类：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三*管
ICS分类：31.080.01;31.080.30
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2012-12-31
实施日期：2013-06-01
出版日期：2013-06-01
页数：56
前言
《半导体器件 分立器件》系列国家标准的预计结构如下:———第1部分:总则(GB/T17573—1998,idtIEC60747-1:1983);———第2部分:整流二*管(GB/T4023—1997,eqvIEC60747-2:1983及其修正案1:1992和修正案2:1993);———第3部分:信号(包括开关)和调整二*管(GB/T6571—1995,idtIEC60747-3:1985);———第4部分:微波器件(GB/T20516—2006,IEC60747-4:2001,IDT);———第5-1部分:光电子器件 总则(IEC60747-5-1:2002);———第6部分:晶闸管(GB/T15291—1994,eqvIEC60747-6:1983及其修正案1:1991);———第7部分:双*型晶体管(GB/T4587—1994,idtIEC60747-7:1988);———第8部分:场效应晶体管(GB/T4586—1994,idtIEC60747-8:1984);———第9部分:绝缘栅双*晶体管(IEC60747-9:2007);———第10部分:分立器件和集成电路总规范(GB/T4589.1—2006,IEC60747-10:1991,IDT);———第11部分:分立器件分规范(GB/T12560—1999,idtIEC60747-11:1985);———第14-1部分:半导体传感器 总则和分类(GB/T20521—2006,IEC60747-14-1:2000,IDT);———第15部分:绝缘功率半导体器件(IEC60747-15:2010);———第17部分:基本绝缘和加强绝缘的磁性和电容性耦合(IEC/PAS60747-17:2011)。本标准为《半导体器件 分立器件》系列国家标准的第9部分。本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准使用翻译法等同采用IEC60747-9:2007《半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管》。与本标准中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下:———GB/T4023—1997 半导体器件 分立器件和集成电路 第2 部分:整流二*管(eqvIEC60747-2:1983及其修正案1:1992和修正案2:1993)———GB/T15291—1994 半导体器件 第6部分:晶闸管(eqvIEC60747-6:1983及其修正案1:1991)———GB/T17573—1998 半导体器件 第1部分:总则(idtIEC60747-1:1983)本标准做了下列编辑性修改和勘误:———3.2.5、3.2.6和3.2.7三条术语的定义中,在文字“……端”后面增加“(电*)”二字;———结温的文字符号Tvj统一为Tj;———栅*-发射*电压的第二个下标统一为“E”;———“规定条件”中,温度条件的位置统一为列项1;———为突出被测(受试)器件,相应的IGBT用被测(受试)器件的英文缩略语DUT代替;———6.3.1.7中,补充了遗漏的电压文字符号VCEXsus;———在6.3.6.3中增加如下说明:“其中,yie———小信号共发射*短路输入导纳;yoe———小信号共发射*短路输出导纳”;———6.3.6.5、6.3.7.5和6.3.8.5中,补充了测量频率的文字符号f;———6.3.10.3中,“|yie|.ωC1”更正为“ωC1.|yie|”,“|yos|.ωC2”更正为“ωC2.|yoe|”;GB/T29332—2012/IEC60747-9:2007———图30图题中的“IC2”更正为“IC1”;———A.4中,列项2下面的三个列项按二级列项处理。本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。本标准起草单位:西安电力电子技术研究所、西安爱帕克电力电子有限公司、英飞凌科技(中国)有限公司、威海新佳电子有限公司、江苏宏微科技有限公司。本标准主要起草人:蔚红旗、张立、陈子颖、乜连波、王晓宝、秦贤满。
