标准简介
本标准规定了用于先进集成电路光刻工艺综合评估的标准测试图形单元的形状、一般尺寸,以及推荐的布局和设计规则,这些标准测试图形包括可供光学显微镜和扫描电子显微镜用的各种图形单元。本标准适用集成电路的工艺、常规掩模版、光致抗蚀剂和光刻机的特征和能力作出评价及交替移相掩模版相位测量,适用于g线、i线、KrF、ArF等波长的光刻设备及相应的光刻工艺。英文名称：Specifications for metrology patterns for the evaluation of advanced photolithgraphy
标准状态：现行
中标分类：电子元器件与信息技术>>电子设备专用材料、零件、结构件>>L90电子技术专用材料
ICS分类：31.030
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2013-11-12
实施日期：2014-04-15
出版日期：2014-04-15
页数：12页
前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。本标准起草单位:上海华虹NEC电子有限公司。本标准主要起草人:王雷、伍强、朱骏、陈宝钦。
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