标准简介
本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法。本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定。英文名称：Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers—Chemically etching
标准状态：现行
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H83化合物半导体材料
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2014-07-24
实施日期：2015-02-01
出版日期：2015-02-01
页数：8页
前言
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。本标准主要起草人:丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川。
