标准简介
本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电*尺度小于100 nm的相变存储单元，100 nm～300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。英文名称：Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
标准状态：现行
中标分类：电子元器件与信息技术>>微电路>>L56半导体集成电路
ICS分类：电子学>>31.200集成电路、微电子学
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2017-05-12
实施日期：2017-12-01
出版日期：2017-05-01
页数：16页【彩图】
前言
半导体集成电路相关标准
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