晶体管的检测方法大全

晶体管的检测：

1、检测小功率晶体二*管

A、判别正、负电*

(a)、观察外壳上的的符号标记。通常在二*管的外壳上标有二*管的符号，带有三角形箭头的一端为正*，另一端是负*。

(b)、观察外壳上的色点。在点接触二*管的外壳上，通常标有*性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正*。还有的二*管上标有色环，带色环的一端则为负*。

(c)、以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正*，红表笔所接的一端则为负*。

B、检测*高工作频率fM。晶体二*管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二*管内部的触丝来加以区分，如点接触型二*管属于高频管，面接触型二*管多为低频管。另外，也可以用万用表R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1k的多为高频管。

C、检测*高反向击穿电压VRM。对于交流电来说，因为不断变化，因此*高反向工作电压也就是二*管承受的交流峰值电压。需要指出的是，*高反向工作电压并不是二*管的击穿电压。一般情况下，二*管的击穿电压要比*高反向工作电压高得多(约高一倍)。

2、检测玻封硅高速开关二*管

检测硅高速开关二*管的方法与检测普通二*管的方法相同。不同的是，这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5k——10k，反向电阻值为无穷大。

3、检测快恢复、超快恢复二*管

用万用表检测快恢复、超快恢复二*管的方法基本与检测塑封硅整流二*管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为4.5k左右，反向电阻为无穷大；再用R×1挡复测一次，一般正向电阻为几欧，反向电阻仍为无穷大。

4、检测双向触发二*管

A、将万用表置于R×1k挡，测双向触发二*管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。

将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚，用同样的方法测出VBR值。*后将VBO与VBR进行比较，两者的**值之差越小，说明被测双向触发二*管的对称性越好。

5、瞬态电压抑制二*管(TVS)的检测

A、用万用表R×1k挡测量管子的好坏

对于单*型的TVS，按照测量普通二*管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。

对于双向*型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。

6、高频变阻二*管的检测

A、识别正、负*

高频变阻二*管与普通二*管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二*管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二*管的色标颜色则为浅色。其*性规律与普通二*管相似，即带绿色环的一端为负*，不带绿色环的一端为正*。

B、测量正、反向电阻来判断其好坏

具体方法与测量普通二*管正、反向电阻的方法相同，当使用500型万用表R×1k挡测量时，正常的高频变阻二*管的正向电阻为5k——5.5k，反向电阻为无穷大。

7、变容二*管的检测

将万用表置于R×10k挡，无论红、黑表笔怎样对调测量，变容二*管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中，发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零，说明被测变容二*管有漏电故障或已经击穿损坏。对于变容二*管容量消失或内部的开路性故障，用万用表是无法检测判别的。必要时，可用替换法进行检查判断。

8、单色发光二*管的检测

在万用表外部附接一节1.5V干电池，将万用表置R×10或R×100挡。这种接法就相当于给万用表串接上了1.5V电压，使检测电压增加至3V(发光二*管的开启电压为2V)。检测时，用万用表两表笔轮换接触发光二*管的两管脚。若管子性能良好，必定有一次能正常发光，此时，黑表笔所接的为正*，红表笔所接的为负*。

9、红外发光二*管的检测

A、判别红外发光二*管的正、负电*。红外发光二*管有两个引脚，通常长引脚为正*，短引脚为负*。因红外发光二*管呈透明状，所以管壳内的电*清晰可见，内部电*较宽较大的一个为负*，而较窄且小的一个为正*。

B、将万用表置于R×1k挡，测量红外发光二*管的正、反向电阻，通常，正向电阻应在30k左右，反向电阻要在500k以上，这样的管子才可正常使用。要求反向电阻越大越好。