标准简介
本标准规定了CS1型硅沟道结型场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。英文名称：Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS1 GP,GT and GCT classes
标准状态：现行
中标分类：综合>>标准化管理与一般规定>>A01技术管理
发布部门：中国电子工业总公司
发布日期：1992-02-01
实施日期：1992-05-01
出版日期：1992-04-01
页数：11页
前言
GB 4586-1984 场效应晶体管测试方法GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸GJB 33-1985 半导体分立器件总规范GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
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