滞后电压ΔV<Sub>T</Sub>检测

栅-源阈值电压V<Sub>GS</Sub><Sub>（</Sub><Sub>th</Sub><Sub>）</Sub> GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

漏源击穿电压V<Sub>（</Sub><Sub>BR</Sub><Sub>）</Sub><Sub>DSS</Sub> GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3047

输出电压降V<Sub>Tµ</Sub> QJ 2289-1992 固体继电器测试方法

化学成分(TiO<Sub>2</Sub>、SiO<Sub>2</Sub>、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、WO<Sub>3</Sub>、CaO、V<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>、Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、K<Sub>2</Sub>O、Na<Sub>2</Sub>O) DL/T 1286-2013 火电厂烟气脱硝催化剂检测技术规范

接通电压V<Sub>FD</Sub> QJ 2289-1992 固体继电器测试方法

主要化学成分(V <Sub>2</Sub> O <Sub>5</Sub> ，WO <Sub>3 </Sub> ，TiO <Sub>2 </Sub>） DL/T 1286-2013 火电厂烟气脱硝催化剂检测技术规范

滞后电压ΔV<Sub>T</Sub> SJ/T 10741-2000 半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理

栅-源阈值电压（C型）（<I>V</I><Sub>GS</Sub><Sub>（</Sub><Sub>TO</Sub><Sub>）</Sub>） GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

阈值电压V<Sub>GS(th)</Sub>V<Sub>GS(off)</Sub> GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 1022