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检测标准:半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理
检测对象:半导体集成电路MOS随机存储器
检测项目:工作状态时<I>V</I><Sub>DD</Sub>电源电流<I> I</I><Sub>DD</Sub>
室温拉伸 <i>R</i><sub>t0.5</sub>、<i>R</i><sub>p0.2</sub>、<i>R</i><sub>m</sub>、<i>R</i><sub>eL</sub>、<i>R</i><sub>eH</sub>、<i>A</i> ASTM E8/E8M-2011 金属材料抗拉试验方法
咨询报价
工作状态时<I>V</I><Sub>DD</Sub>电源电流<I> I</I><Sub>DD</Sub> SJ/T 10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理
<I>R</I><sub>m</sub>、<I>F</I><sub>m</sub>、<I>F</I><sub>p0.2</sub>、<I>A</I><sub>gt</sub> GB/T 228.1-2010 金属材料 拉伸试验 第1部分:室温试验方法
静态电源电流<I>I</I><Sub>DD</Sub> SJ/T 20961-2006 集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 5.1.9、5.2.9
维持状态时<I>V</I><Sub>DD</Sub>电源电流<I> I</I><Sub>DDS</Sub> SJ/T 10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理
抗拉强度<i>R</i><sub>m</sub>、下屈服强度<i>R</i><sub>eL</sub>、上屈服强度<i>R</i><sub>eH</sub>、断后伸长率<i>A</i>、规定塑性延伸强度<I>R</I><sub>p0.2</sub> GB/T 228.1-2010 金属材料 拉伸试验 第1部分:室温试验方法
<I>R</I><sub>m</sub>、<I>F</I><sub>m</sub>、<I>F</I><sub>p0.2</sub>、<I>A</I><sub>gt</sub> GB/T 21839-2019 预应力混凝土用钢材试验方法
电源电流 I<Sub>dd</Sub> SJ/T 10805-2018 半导体集成电路 电压比较器测试方法
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