1.本实用新型涉及压力传感器组件技术领域，更具体地说是一种防输出漂移的硅压阻式压力传感器芯片。
背景技术：
2.硅压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效应制成的。在硅膜片特定方向上扩散4个等值的半导体电阻，并连接成惠斯通电桥，作为力——电变换器的敏感元件。当膜片受到外界压力作用，电桥失去平衡时，若对电桥加激励电源，便可得到与被测压力成正比的输出电压，从而达到测量压力的目的。
3.现有的压力传感器芯片不可避免的会与外界产生接触，遭受外界的外应力，而外应力会对传感器的整体性能和精度都会产生一定的影响，特别是高精度、小量程的传感器受这种外应力的影响更加突出，严重时导致传感器不能正常工作。
技术实现要素：
4.为了克服现有技术的上述缺陷，本实用新型提供一种防输出漂移的硅压阻式压力传感器芯片，通过第二螺栓带动夹持板对芯片本体进行夹持固定，避免芯片本体发生晃动，并通过第二螺栓将框体与支撑板进行连接固定，再通过**螺栓带动壳体下移，将引脚套设于壳体内部，对引脚进行防护，避免外界的灰尘粘附于引脚上或者外界的撞击对引脚造成损坏，整体结构提高了对芯片本体的防护，避免因芯片本体发生损坏而造成整体测试数值不精确、不稳定，以解决上述背景技术中出现的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种防输出漂移的硅压阻式压力传感器芯片，包括支撑板、芯片本体和引脚，所述芯片本体设置于支撑板内部，所述引脚固定设置于芯片本体两侧，所述支撑板顶部开设有放置槽，所述芯片本体设置于放置槽内部，所述支撑板两侧均开设有多个通口，所述通口顶端均贯穿支撑板，所述引脚贯穿通口并延伸至通口外部，所述支撑板顶部套设有框体，所述框体两侧均设有防护装置，所述防护装置设置于引脚顶部，所述框体顶部开设有开口，所述开口与芯片本体位置上下相对应，所述放置槽内部设有夹持装置。
