绝缘栅双*晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:栅*,集电*和发射*。
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绝缘栅双*晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:栅*,集电*和发射*。
检测标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测对象:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目:发射极—集电极的击穿电压<I>V</I><Sub>(BR)ECO</Sub>
检测标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
检测对象:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目:栅极—发射极的漏电流<I>I</I><Sub>GES</Sub>
检测标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
检测对象:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目:栅极阈电压<I>V</I><Sub>GE(th)</Sub>
检测标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测对象:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目:集电极—发射极的击穿电压<I>V</I><Sub>(BR)CEO</Sub>
检测标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测对象:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目:集电极—发射极的饱和电压<I>V</I><Sub>CEsat</Sub>
检测标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
检测对象:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目:零栅压时的集电极电流<I>I</I><Sub>CES</Sub>
检测标准:高处坠落和区域限制个体防护装备 带和绳 EN 358:2018
检测对象:区域限制安全带及安全绳
检测项目:全部参数
检测标准:半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测对象:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目:反向传输电容
检测标准:呼吸防护用品 半面罩和四分之一面罩 技术要求、测试方法和标识 EN 140:1998
检测对象:半面罩和四分之一面罩
检测项目:全部参数
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