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检测标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
检测对象:MOS场效应管
检测项目:静态漏-源通态电阻<I>r</I><Sub>DS</Sub>
静态漏-源通态电阻R<Sub>DS(on) GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
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