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检测标准:半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测对象:绝缘栅双极型晶体管
检测项目:集电极-发射极饱和电压(V<sub>CE(sat)</sub>)
集电极-发射极饱和电压<I>V</I><Sub>CE(sat)</Sub> SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法
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集电极-发射极饱和电压 V<SUB>CE(sat)</SUB> GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
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集电极-发射极饱和电压 V<SUB>CE(sat)</SUB> GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
集电极-发射极饱和电压(V<sub>CE(sat)</sub>) GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
集电极-发射极饱和电压 <I>V</I><Sub>CE(sat</Sub><Sub>)</Sub> GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
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集电极-发射极饱和压降检测
集电极-发射极饱和电压检测
集电极-发射极饱和电压 <
集电极-发射极饱和电压 <I
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集电极-发射极饱和电压 <I>V
集电极-发射极饱和电压 V<SU
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