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检测标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
检测对象:场效应管
检测项目:正向栅源漏电流(I
栅极-发射极漏电流 <I>I</I><Sub>GES</Sub> GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
咨询报价
栅源截止(漏泄)电流<I>I</I><Sub>GSS</Sub> GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
正向栅源漏电流(I<sub>GSSF</sub>) GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
正向栅源漏电流(I GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
截止态源极漏电流<I>I</I><Sub>S</Sub>(off) GB/T 14028-2018 半导体集成电路 模拟开关测试方法
反向栅源漏电流(I<sub>GSSR</sub>) GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
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正向小电流时的正向电压检测
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