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检测标准:半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Ed. 3.0 :2010 6.2.3.1
检测对象:场效应晶体管
检测项目:重复雪崩能量
检测标准:半导体器件 第8部分:场效应晶体管
单脉冲雪崩能量 MIL-STD-750F 半导体测试方法测试标准 :2012 4064.1
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重复雪崩能量 IEC 60747-8 半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 Ed. 3.0 :2010 6.2.3.1
重复能量耐受试验 DL/T 1156-2012 串联补偿装置用金属氧化物限压器
雪崩和可控雪崩整流二极管的反向峰值功率(重复或不重复的)(P<Sub>RRM</Sub>,P<Sub>RSM</Sub>) GB/T 4023-2015 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
非重复雪崩能量 IEC 60747-8 半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 Ed. 3.0 :2010 6.2.3.2
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