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检测标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
检测对象:场效应晶体管
检测项目:静态漏-源通态电阻R<Sub>DS(on)
静态漏-源通态电阻R<Sub>DS(on) GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
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漏-源通态电阻R<Sub>DS</Sub>(on) GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法半导体分立器件.第8部分:场效应晶体管 GJB128A-1997 GB4586-94 15
通态漏-源电阻(<I>r</I><Sub>ds(on)</Sub>) GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
静态漏-源通态电阻<I> R</I><Sub>DS(on)</Sub> GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
静态漏-源通态电阻 R<SUB>DS(on)</SUB> GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
漏-源通态电阻R<Sub>DS(ON)</Sub> GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
漏源通态电阻(r<sub>DS(on)</sub>) GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
静态漏-源通态电阻r<Sub>DS</Sub> GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
漏—源“通态”电压<I>V</I><Sub>DS(on)</Sub> GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
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