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152-0173-3840
检测标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3011
检测对象:双极型晶体管
检测项目:集电极-发射极击穿电压(基极开路)<I>V</I><Sub>(BR)CEO</Sub>
集电极-发射极截止电流 <I>I</I><Sub>CEO</Sub> SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法
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集电极—发射极的击穿电压<I>V</I><Sub>(BR)CEO</Sub> GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
集电极-发射极击穿电压(V(BR)<sub>CEO</sub>) GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法3011
发射极—集电极的击穿电压<I>V</I><Sub>(BR)ECO</Sub> GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
集电极-发射极击穿电压<I>V</I><Sub>(BR)CEO</Sub> GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CEO SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法
集电极-发射极击穿 电压<I>V</I><Sub>(BR)CEO</Sub> GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
集电极-发射极击穿电压(基极开路)<I>V</I><Sub>(BR)CEO</Sub> GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 3011
发射极-集电极击穿电压 <I>V</I><Sub>ECO</Sub> SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法
I<Sub>B</Sub>=0时的集电极发射极击穿电压<I>V</I><Sub>(BR)CEO</Sub> GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
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集电极--基极截止电流<I>I<
集电极--基极截止电流I<Sub
集电极--基极截止电流ICBO检
集电极-发射极击穿 电压<I>
集电极-发射极击穿 电压V(B
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