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检测标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测对象:半导体晶体管(达林顿,三极管模块,开关管)
检测项目:集电极-发射极电压V<Sub>CEO </Sub>
检测标准:半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F 3030
集电极-发射极截止电流 <I>I</I><Sub>CEO</Sub> SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法
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集电极—发射极的击穿电压<I>V</I><Sub>(BR)CEO</Sub> GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
集电极-发射极电压V<Sub>CEO </Sub> MIL-STD-750F 半导体器件的试验方法 标准试验方法 3030
集电极-发射极击穿电压(V(BR)<sub>CEO</sub>) GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法3011
集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CEO SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法
集电极-发射极击穿电压(基极开路)<I>V</I><Sub>(BR)CEO</Sub> GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 3011
集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CEO</Sub> GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 3011
集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CEO</Sub> GB/T 128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO </Sub> MIL-STD-750F 半导体器件的试验方法 标准试验方法 3041.1
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