半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 第2.10条检测

电议

维持状态电源电流 ICCS 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 第2.10条

检测项目

维持状态电源电流 ICCS

半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 第2.10条-只测电压： -1V～+6V 电流： -200mA～+200mA 最大1024通道；电源电流： 0mA～+15A 最高频率： 0Hz～2GHz；仅适用于特定用户的特定产品

支持报告类型：电子报告、纸质报告

支持报告语言：中文报告、英文报告、中英文报告

报告盖章资质： CMA；CNAS

服务周期： 3-10个工作日（特殊样品除外）

服务地区：全国

检测用途：电商平台入驻；商超卖场入驻；产品质量改进；产品认证；出口通关检验等

取样方式：快递邮寄或上门取样

样品要求：样品数量及规格等视检测项而定

服务详情

检测标准

检测项目维持状态电源电流 ICCS

检测标准号 SJ/T 10739-1996

检测方法名半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 第2.10条

限制说明只测电压： -1V～+6V 电流： -200mA～+200mA 最大1024通道；电源电流： 0mA～+15A 最高频率： 0Hz～2GHz；仅适用于特定用户的特定产品

服务简介

服务范围：GB、GB/T、FZ/T品控检测、各类电商平台、商超卖场入驻质检。

服务流程

合作机构资质

报告样例

平台优势

百检介绍

相关标准

《SJ/T10739-1996》《半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理》 SJ/T10739-1996 2.9
《SJ/T10739-1996》《半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理》 SJ/T10739-1996 2.7
《SJ/T10739-1996》《半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理》 SJ/T10739-1996 4
《SJ/T10739-1996》半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 第2.7条
《SJ/T10739-1996》半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 第4.2条
《SJ/T 10739-1996》半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996 2.7
《SJ/T10739-96》半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-96 第2.10条
《SJ/T10739-1996》半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 第2.10条
《SJ/T10739-1996》《半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理》 SJ/T10739-1996 2.10
《SJ/T 10739-1996》半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996 2.10

电话咨询

扫码优惠

我要检测