百检网
百检网
输出低电平电压V<Sub>OL</Sub> 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-96 第2.2条
电议
输出低电平电压V<Sub>OL</Sub> 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-96 第2.2条
输出低电平电压V<Sub>OL</Sub> 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-96 第2.2条
检测项目
  • 输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>
    半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-96 第2.2条-仅适用于特定用户的特定产品;只测电压:-1V~+6V电流:-200mA~+200mA最大1024通道;电源电流:0mA~+15A最高频率:0Hz~2GHz

支持报告类型: 电子报告、纸质报告

支持报告语言: 中文报告、英文报告、中英文报告

报告盖章资质: CMA;CNAS

服务周期: 3-10个工作日(特殊样品除外)

服务地区: 全国

检测用途: 电商平台入驻;商超卖场入驻;产品质量改进;产品认证;出口通关检验等

取样方式: 快递邮寄或上门取样

样品要求: 样品数量及规格等视检测项而定

服务详情
检测标准
  • 检测项目 输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>

    检测标准号 SJ/T 10739-96

    检测方法名 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-96 第2.2条

    限制说明 仅适用于特定用户的特定产品;只测电压:-1V~+6V电流:-200mA~+200mA最大1024通道;电源电流:0mA~+15A最高频率:0Hz~2GHz


服务简介


服务范围:GB、GB/T、FZ/T品控检测、各类电商平台、商超卖场入驻质检。


服务流程



合作机构资质



报告样例



平台优势



百检介绍


相关标准
《SJ/T 10739-1996》半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996 2.2
《SJ/T10739-1996》半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 第2.7条
《SJ/T10739-1996》半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 第4.2条
《SJ/T10739-96》半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-96 第2.10条
《SJ/T10739-1996》半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 第2.10条
《SJ/T 10739-1996》半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996
《SJ/T10739-1996》半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 第4.1条
《SJ/T10739-96》半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-96 第4.2条
《SJ/T10739-1996》半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 第2.2条
《SJ/T10739-96》半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-96 第2.7条