标准简介
本文件规定了电容?电压法测试硅外延层载流子浓度的方法，包括汞探针电容?电压法和无接触电容?电压法。本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试，测试范围为4×1013 cm-3～8×1016 cm-3，其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照本文件进行，其中无接触电容?电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试。英文名称：Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers—Capacitance-voltage method
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 14146-2009
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
ICS分类：冶金>>77.040金属材料试验
发布部门：国家市场监督管理总局.
发布日期：2021-05-21
实施日期：2021-12-01
出版日期：2021-05-01
页数：16页
前言
金属物理性能试验方法相关标准
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