GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

标准简介

本标准规定了用栅控和非栅控二*管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。 本标准适用于外延层厚度不小于某一*小厚度值相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。
英文名称：Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 14863-1993;废止公告：国家标准公告2017年第31号
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2013-12-31
实施日期：2014-08-15
出版日期：2014-08-15
页数：16页

前言

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准代替GB/T14863—1993《用栅控和非栅控二*管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法》。本标准与GB/T14863—1993相比,主要有下列变化:———增加了标准的“前言”;———调整并增加了引用标准;———对试验条件、试验方法进行了简化和调整;———对附录进行了调整。本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。本标准由中国电子技术标准化研究院归口。本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。本标准主要起草人:何秀坤、董颜辉、周智慧、段曙光、刘筠。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:———GB/T14863—1993。