标准简介
本标准规定了23℃时掺硼掺磷硅单晶电阻率和掺杂剂浓度间的换算方法。本标准适用于掺杂剂浓度1012～1021cm-3(电阻率0.0001~10，000Ω·cm)掺硼硅单晶和1012~5×1020cm-3(电阻率0.0002~4,000Ω·cm)掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算，也可扩展到硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。英文名称：Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon
标准状态：作废
替代情况：被GB/T 13389-2014代替
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
ICS分类：29.040.30
发布部门：国家技术监督局
发布日期：1992-02-19
实施日期：1992-10-01
作废日期：2015-09-01
出版日期：1992-10-01
页数：平装16开， 页数：19， 字数：34000
前言
金属物理性能试验方法相关标准
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